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STD8N65M5产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STD8N65M5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD8N65M5价格参考¥询价-¥询价。STMicroelectronicsSTD8N65M5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 650V 7A(Tc) 70W(Tc) DPAK。您可以下载STD8N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD8N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STD8N65M5是一款N沟道功率MOSFET,其应用场景非常广泛,尤其适用于需要高效能、低损耗和高可靠性的电力电子设备中。以下是一些典型的应用场景: 1. 电源管理:该MOSFET常用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC)和交流-直流转换器(AC-DC)中。它能够高效地控制电流的通断,减少能量损失,提高电源转换效率。 2. 电机驱动:在电动工具、家用电器(如洗衣机、空调等)以及工业自动化设备中,STD8N65M5可用于驱动小型至中型电机。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于降低发热,延长设备使用寿命。 3. 电池管理系统:在电动汽车、便携式电子产品及储能系统中,这款MOSFET可以用于电池充放电保护电路,确保电池安全运行,防止过充或过放。 4. LED照明:对于大功率LED灯条或路灯而言,STD8N65M5能够提供稳定的电流控制,保证LED灯具的亮度均匀性和长寿命。 5. 太阳能逆变器:在光伏系统中,此MOSFET可作为关键元件参与最大功率点跟踪(MPPT)算法的实现,优化太阳能板的能量输出。 6. 消费类电子产品:例如笔记本电脑适配器、智能手机快充模块等,该器件凭借其出色的电气性能,为用户提供快速且安全的充电体验。 总之,STD8N65M5凭借其优异的电气特性和可靠性,在众多领域有着广泛的应用前景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 650V 7A DPAKMOSFET N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh V 7A 710VDss |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 7 A |
Id-连续漏极电流 | 7 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD8N65M5MDmesh™ V |
数据手册 | |
产品型号 | STD8N65M5 |
Pd-PowerDissipation | 70 W |
Pd-功率耗散 | 70 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 560 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 560 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 690pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 600 毫欧 @ 3.5A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=21007 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | 497-10878-1 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF247946?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 70W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 650V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7A (Tc) |
系列 | STD8N65M5 |
配置 | Single |