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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STD840DN40由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD840DN40价格参考。STMicroelectronicsSTD840DN40封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STD840DN40参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD840DN40 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STD840DN40是一款双极性晶体管(BJT)阵列,广泛应用于需要高性能开关和信号放大的场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理:该器件可用于开关电源、DC-DC转换器和线性稳压器中的开关元件,提供高效的功率传输和控制。 2. 电机控制:在小型电机驱动中,STD840DN40可以用作驱动电路的核心元件,实现电机的启动、停止和速度调节。 3. 信号放大:适用于音频放大器和其他信号放大电路中,能够处理高电流和高电压的应用场合,确保信号的稳定性和保真度。 4. 继电器替代:在某些应用中,可以使用STD840DN40替代机械继电器,以减少磨损并提高响应速度。 5. 负载切换:用于汽车电子和工业控制中的负载切换,例如车灯控制、风扇控制等,提供快速可靠的开关功能。 6. 保护电路:在过流保护、短路保护等电路中,该器件可作为关键的开关或限流元件,增强系统的安全性和可靠性。 7. 通信设备:在低频通信设备中,STD840DN40可用作功率放大器,提升信号强度和传输距离。 总之,STD840DN40凭借其高耐压、大电流承载能力和优异的热性能,适合多种工业、汽车和消费类电子产品中的开关和放大应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS DUAL NPN 400V 4A 8DIP两极晶体管 - BJT Dual NPN High Volt 400V Vceo 700V Vcbo |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,STMicroelectronics STD840DN40- |
数据手册 | |
产品型号 | STD840DN40 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 400mA,2A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 8 @ 2A,5V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | 8-DIP |
其它名称 | 497-11085-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL822/SC1229/PF248488?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 3W |
包装 | 管件 |
发射极-基极电压VEBO | 9 V to 18 V |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | 8-DIP(0.300",7.62mm) |
封装/箱体 | DIP-8 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | 2 NPN(双) |
最大功率耗散 | 3 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 8 A |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 400V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 4A |
电流-集电极截止(最大值) | 250µA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 8 |
系列 | STD840DN40 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 400 V |
集电极连续电流 | 4 A |
频率-跃迁 | - |