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Datasheet下载- 型号： STD7NM60N
- 制造商： STMicroelectronics
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STD7NM60N产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STD7NM60N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD7NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTD7NM60N封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 600V 5A（Tc） 45W（Tc） DPAK。您可以下载STD7NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STD7NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STD7NM60N是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于多种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理：STD7NM60N适用于各种开关电源（SMPS）和直流-直流转换器（DC-DC converters）。它能够高效地进行电压转换，提供稳定的输出电压，适用于笔记本电脑适配器、手机充电器等消费电子产品。 2. 电机驱动：在电动工具、家用电器（如洗衣机、空调等）以及工业自动化设备中，该MOSFET用于控制电机的启动、停止和速度调节。其低导通电阻特性有助于减少发热，提高系统效率。 3. 汽车电子：此型号MOSFET符合AEC-Q101标准，可用于车载电池管理系统、LED照明电路、雨刷控制系统等汽车应用。其高耐压能力（600V）确保了在复杂电磁环境下稳定工作。 4. 逆变器与不间断电源（UPS）：在光伏逆变器和UPS系统中，STD7NM60N可以作为功率开关元件，实现交流电与直流电之间的转换，保障电力供应的连续性和可靠性。 5. 保护电路：该MOSFET还可以用于过流保护、短路保护等安全机制中，防止因电流过大或异常情况对整个电路造成损害。 总之，STD7NM60N凭借其出色的电气性能（如低Rds(on)、高击穿电压等），成为众多电力转换及控制应用的理想选择。同时，它的小尺寸封装（TO-220）便于安装，并且易于散热设计，适合紧凑型产品开发。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 5A DPAKMOSFET N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD7NM60NMDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STD7NM60N |
| Pd-PowerDissipation | 45 W |
| Pd-功率耗散 | 45 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 900 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 900 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 363pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 900 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | 497-11042-2 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF250418?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 45W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A （Tc） |
| 系列 | STD7NM60N |
