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  • 型号: STD7N52DK3
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STD7N52DK3由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD7N52DK3价格参考。STMicroelectronicsSTD7N52DK3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STD7N52DK3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD7N52DK3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 525V 6A DPAKMOSFET N-Ch 620V 0.98 ohm 6.2A SuperFREDmesh3

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

6.2 A

Id-连续漏极电流

6.2 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD7N52DK3SuperFREDmesh3™

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产品型号

STD7N52DK3

Pd-PowerDissipation

90 W

Pd-功率耗散

90 W

Qg-GateCharge

34 nC

Qg-栅极电荷

34 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.15 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.15 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

620 V

Vds-漏源极击穿电压

620 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4.5 V

上升时间

22 ns

下降时间

22 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 50µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

870pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

33nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.15 欧姆 @ 3A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

497-10707-6

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF221191?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

30 ns

功率-最大值

90W

包装

Digi-Reel®

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

1.15 Ohms

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

1.5 V

汲极/源极击穿电压

620 V

漏极连续电流

6.2 A

漏源极电压(Vdss)

525V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6A (Tc)

系列

STD7N52DK3

配置

Single

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