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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STD70N10F4由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD70N10F4价格参考。STMicroelectronicsSTD70N10F4封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 60A(Tc) 125W(Tc) DPAK。您可以下载STD70N10F4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD70N10F4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STD70N10F4是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具有低导通电阻和高开关速度,适用于多种电力电子应用。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 STD70N10F4常用于直流-直流转换器(DC-DC)和开关电源(SMPS)中。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少传导损耗,提高效率,特别适合需要高效能和低功耗的应用场景,如笔记本电脑、服务器电源和消费类电子产品。 2. 电机驱动 该MOSFET可用于驱动小型直流电机或步进电机。其快速开关特性和低导通电阻使其能够有效地控制电流,减少发热,延长设备寿命。典型应用包括家用电器、电动工具和自动化控制系统中的电机驱动。 3. 电池管理系统(BMS) 在电动汽车、储能系统和其他电池供电设备中,STD70N10F4可以用于电池充放电控制电路。它能够精确地控制电流流动,防止过充或过放,确保电池的安全和长寿命。 4. 工业自动化 MOSFET在工业自动化中有广泛的应用,例如用于可编程逻辑控制器(PLC)、传感器接口和执行器控制。STD70N10F4的高可靠性和耐用性使其成为这些应用场景的理想选择,尤其是在需要频繁开关操作的场合。 5. 负载开关 该器件可以用作负载开关,用于控制电路中的电流路径。它能够在短时间内快速切换状态,确保系统的稳定性和安全性,适用于各种需要精确电流控制的设备,如智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备。 6. LED驱动 STD70N10F4还可以用于LED驱动电路,特别是在大功率LED照明系统中。其低导通电阻有助于减少热量产生,提高LED的亮度和使用寿命,同时保持高效的能量转换。 总之,STD70N10F4凭借其优异的电气特性,适用于广泛的电力电子应用,尤其在需要高效能、低损耗和高可靠性的场合表现突出。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 60A DPAKMOSFET N-Ch, 100V-0.015ohms 60A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
Id-连续漏极电流 | 60 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD70N10F4DeepGATE™, STripFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | STD70N10F4 |
Pd-PowerDissipation | 125 W |
Pd-功率耗散 | 125 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 15 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 15 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 20 ns |
下降时间 | 20 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5800pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 85nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 19.5 毫欧 @ 30A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | 497-8806-1 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF218797?referrer=70071840 |
典型关闭延迟时间 | 65 ns |
功率-最大值 | 125W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 60A (Tc) |
系列 | STD70N10F4 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |