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Datasheet下载- 型号： STD70N10F4
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STD70N10F4由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD70N10F4价格参考。STMicroelectronicsSTD70N10F4封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 60A（Tc） 125W（Tc） DPAK。您可以下载STD70N10F4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STD70N10F4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STD70N10F4是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具有低导通电阻和高开关速度，适用于多种电力电子应用。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理 STD70N10F4常用于开关电源（SMPS）设计中，特别是在降压、升压或反激式转换器中。它的低导通电阻（Rds(on)）有助于减少传导损耗，提高电源效率。此外，该器件的快速开关特性使其在高频开关电源中表现出色，能够有效降低开关损耗。 2. 电机驱动 在直流无刷电机（BLDC）或步进电机的驱动电路中，STD70N10F4可以用作功率级的一部分，帮助实现高效的电机控制。它能够承受较高的电流和电压波动，确保电机在不同负载条件下的稳定运行。同时，其低导通电阻有助于减少发热，延长系统的使用寿命。 3. 电池管理系统（BMS） 在锂电池或其他类型电池的保护电路中，STD70N10F4可以用于充放电路径的控制。通过精确控制MOSFET的开关状态，可以防止过充、过放以及短路等异常情况的发生，确保电池的安全性和可靠性。 4. 逆变器与变频器 STD70N10F4也适用于逆变器和变频器的设计，尤其是在需要高效能量转换的应用中。它可以作为主开关元件，用于将直流电转换为交流电，或者调节输出频率和电压。由于其优异的开关性能，能够在高频工作状态下保持较低的损耗，从而提升系统的整体效率。 5. 负载开关与保护电路 在消费电子设备中，如智能手机、平板电脑等，STD70N10F4可以用作负载开关，控制电源的通断。它还可以集成到保护电路中，提供过流、过温等保护功能，确保系统在异常情况下不会损坏。 总结 STD70N10F4凭借其低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，广泛应用于电源管理、电机驱动、电池管理、逆变器及负载开关等领域。它不仅提高了系统的效率，还增强了可靠性和安全性，是现代电力电子设计中的重要元件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 60A DPAKMOSFET N-Ch, 100V-0.015ohms 60A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD70N10F4DeepGATE™， STripFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STD70N10F4 |
| Pd-PowerDissipation | 125 W |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 15 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 15 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 85nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 19.5 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | 497-8806-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF218797?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 65 ns |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
| 系列 | STD70N10F4 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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