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STD6N62K3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STD6N62K3由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD6N62K3价格参考。STMicroelectronicsSTD6N62K3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 620V 5.5A(Tc) 90W(Tc) DPAK。您可以下载STD6N62K3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD6N62K3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 620V 5.5A DPAKMOSFET N-Channel 620V 1.1 Ohms 5.5A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 5.5 A |
Id-连续漏极电流 | 5.5 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD6N62K3SuperMESH3™ |
数据手册 | |
产品型号 | STD6N62K3 |
Pd-PowerDissipation | 90 W |
Pd-功率耗散 | 90 W |
Qg-栅极电荷 | 34 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.28 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.28 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 12.5 ns |
下降时间 | 19 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 706pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25.7nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.28 欧姆 @ 2.8A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | 497-8480-1 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF214767?referrer=70071840 |
典型关闭延迟时间 | 27 ns |
功率-最大值 | 90W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 620V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.5A (Tc) |
系列 | STD6N62K3 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |