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  • 型号: STD6N62K3
  • 制造商: STMicroelectronics
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STD6N62K3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STD6N62K3由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD6N62K3价格参考。STMicroelectronicsSTD6N62K3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 620V 5.5A(Tc) 90W(Tc) DPAK。您可以下载STD6N62K3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD6N62K3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 620V 5.5A DPAKMOSFET N-Channel 620V 1.1 Ohms 5.5A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

5.5 A

Id-连续漏极电流

5.5 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD6N62K3SuperMESH3™

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产品型号

STD6N62K3

Pd-PowerDissipation

90 W

Pd-功率耗散

90 W

Qg-栅极电荷

34 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.28 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.28 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

650 V

Vds-漏源极击穿电压

650 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

12.5 ns

下降时间

19 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 50µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

706pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

25.7nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.28 欧姆 @ 2.8A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

497-8480-1

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF214767?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

27 ns

功率-最大值

90W

包装

剪切带 (CT)

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

620V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.5A (Tc)

系列

STD6N62K3

通道模式

Enhancement

配置

Single

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