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STD6N60M2产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STD6N60M2由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD6N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTD6N60M2封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 600V 4.5A(Tc) 60W(Tc) DPAK。您可以下载STD6N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD6N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STD6N60M2是一款N沟道增强型功率MOSFET,具有600V的击穿电压和6A的最大连续漏极电流。这款MOSFET广泛应用于需要高效、可靠开关操作的电路中,特别是在高电压和大电流条件下。 应用场景: 1. 电源管理: - 开关电源(SMPS):在开关电源中,STD6N60M2可以用作主开关管,控制电源的开启和关闭。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高转换效率。 - DC-DC转换器:用于降压或升压转换器中,实现高效的电压调节。 2. 电机驱动: - 无刷直流电机(BLDC):在电机驱动电路中,MOSFET作为功率开关,控制电机的相位和速度。STD6N60M2的快速开关特性和低损耗特性使其非常适合这种应用。 - 步进电机:用于步进电机的驱动电路中,提供精确的电流控制,确保电机平稳运行。 3. 工业自动化: - 可编程逻辑控制器(PLC):在工业控制系统中,MOSFET用于驱动各种负载,如电磁阀、继电器等。STD6N60M2的高耐压和大电流能力使其能够在恶劣的工业环境中稳定工作。 - 伺服系统:用于伺服系统的功率级,实现精确的位置和速度控制。 4. 汽车电子: - 车载充电器:在电动汽车和混合动力汽车中,用于车载充电器的功率转换部分,确保高效的能量传输。 - 车身控制模块(BCM):用于控制车灯、雨刷等设备的开关,提供可靠的电气连接。 5. 消费电子产品: - 家电产品:如空调、洗衣机等家电中的压缩机驱动和风扇控制,MOSFET可以实现高效节能的电机控制。 - 电动工具:用于电动工具的电机驱动和电池管理系统中,提供强大的输出功率和保护功能。 总之,STD6N60M2凭借其出色的电气性能和可靠性,适用于多种高要求的应用场景,尤其是在需要高效功率转换和控制的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 600V DPAKMOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh II |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD6N60M2MDmesh™ II Plus |
数据手册 | |
产品型号 | STD6N60M2 |
Pd-PowerDissipation | 60 W |
Pd-功率耗散 | 60 W |
Qg-GateCharge | 8 nC |
Qg-栅极电荷 | 8 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.06 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.06 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
上升时间 | 7.4 ns |
下降时间 | 22.5 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 232pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.2 欧姆 @ 2.25A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | DPAK |
其它名称 | 497-13939-6 |
典型关闭延迟时间 | 24 ns |
功率-最大值 | 60W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.5A (Tc) |
系列 | STD6N60M2 |
配置 | Single |