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STD4NK80Z-1产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STD4NK80Z-1由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD4NK80Z-1价格参考。STMicroelectronicsSTD4NK80Z-1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 800V 3A(Tc) 80W(Tc) I-PAK。您可以下载STD4NK80Z-1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD4NK80Z-1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STD4NK80Z-1 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - STD4NK80Z-1 的高耐压(800V)特性使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用。它可以高效地控制电流的通断,适用于 AC/DC 或 DC/DC 转换器。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动电路中,该 MOSFET 可用作开关元件。其低导通电阻和快速开关速度能够提高效率,减少功率损耗。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器或 UPS(不间断电源)系统中,STD4NK80Z-1 可用于高频开关操作,实现直流到交流的转换。 4. 负载切换 - 它可以用于负载切换电路,例如在汽车电子、工业控制或消费电子中,控制大电流负载的开启和关闭。 5. 保护电路 - 由于其高耐压能力,该 MOSFET 可用于过压保护、过流保护等电路中,确保系统在异常情况下仍能安全运行。 6. 家电产品 - 在家用电器(如洗衣机、空调、冰箱等)中,STD4NK80Z-1 可用于控制压缩机、风扇或其他电机的工作状态。 7. 照明设备 - 在 LED 照明或荧光灯镇流器中,该 MOSFET 可用于驱动电路,提供稳定的电流输出。 特性总结: - 高耐压:800V 的额定电压使其适用于高压环境。 - 低导通电阻:有助于降低功耗,提高效率。 - 快速开关速度:适合高频应用。 - 紧凑封装:便于设计小型化电路。 总之,STD4NK80Z-1 是一款性能可靠的高压 MOSFET,适用于需要高效开关和高耐压能力的各种电子设备和系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 800V 3A IPAKMOSFET N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
Id-连续漏极电流 | 3 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD4NK80Z-1SuperMESH™ |
数据手册 | |
产品型号 | STD4NK80Z-1 |
Pd-PowerDissipation | 80 W |
Pd-功率耗散 | 80 W |
Qg-GateCharge | 22.5 nC |
Qg-栅极电荷 | 22.5 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.5 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3.5 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 12 ns |
下降时间 | 32 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 575pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22.5nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.5 欧姆 @ 1.5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | I-Pak |
其它名称 | 497-12560-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF223258?referrer=70071840 |
典型关闭延迟时间 | 35 ns |
功率-最大值 | 80W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
封装/箱体 | IPAK-3 |
工厂包装数量 | 75 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 75 |
漏源极电压(Vdss) | 800V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3A (Tc) |
系列 | STD4NK80Z |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |