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Datasheet下载- 型号： STD44N4LF6
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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STD44N4LF6产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STD44N4LF6由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD44N4LF6价格参考。STMicroelectronicsSTD44N4LF6封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 40V 44A（Tc） 50W（Tc） DPAK。您可以下载STD44N4LF6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STD44N4LF6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 44A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STD44N4LF6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | DeepGATE™， STripFET™ VI |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1190pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12.5 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26067 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | 497-11098-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1164/PF250433?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/stmicroelectronics-stripfet-vi-deepgate-mosfets/3393 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 44A （Tc） |
