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Datasheet下载- 型号： STD3N80K5
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STD3N80K5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD3N80K5价格参考。STMicroelectronicsSTD3N80K5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 800V 2.5A（Tc） 60W（Tc） DPAK。您可以下载STD3N80K5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STD3N80K5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STD3N80K5是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效、低损耗开关性能的电路中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 STD3N80K5常用于各种电源管理应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等。其低导通电阻（Rds(on)）特性使得它在高电流应用中能够减少功耗，提高效率。此外，该器件的快速开关速度有助于降低开关损耗，提升电源的整体性能。 2. 电机驱动 在电机驱动电路中，STD3N80K5可以作为功率级的一部分，用于控制电机的启动、停止和调速。它的高耐压（800V）特性使其适合高压电机驱动应用，如工业自动化设备、家用电器中的直流电机控制等。 3. 逆变器 该MOSFET也适用于光伏逆变器、UPS（不间断电源）等设备。它能够在高频下稳定工作，确保逆变器的输出波形质量，并且其高击穿电压能够承受电网电压波动，提供可靠的保护。 4. 过流保护与开关应用 STD3N80K5可用于过流保护电路中，作为开关元件。当检测到过流时，MOSFET可以迅速关断，防止下游电路损坏。此外，它还可以用于其他类型的开关应用，如继电器替代、负载切换等。 5. 家电与消费电子 在家电和消费电子产品中，STD3N80K5可用于控制加热元件、风扇等负载。例如，在电热水壶、空调等设备中，它可以作为功率控制的关键元件，实现高效的能量传递和控制。 6. 电动汽车与电动工具 该MOSFET也适用于电动汽车的电池管理系统（BMS）以及电动工具的动力控制系统。其高耐压和低导通电阻特性使其能够在这些应用中提供稳定的性能和较高的效率。 总的来说，STD3N80K5凭借其出色的电气特性，特别适合需要高可靠性和高效能的功率控制场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAKMOSFET N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD3N80K5SuperMESH5™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STD3N80K5 |
| Pd-PowerDissipation | 60 W |
| Pd-功率耗散 | 60 W |
| Qg-GateCharge | 9.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 9.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 7.5 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 130pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.5 欧姆 @ 1A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 其它名称 | 497-14267-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 20.5 ns |
| 功率-最大值 | 60W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A （Tc） |
| 系列 | STD3N80K5 |
| 配置 | Single |
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