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  • 型号: STD30N10F7
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STD30N10F7由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD30N10F7价格参考。STMicroelectronicsSTD30N10F7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STD30N10F7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD30N10F7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 100V 35A DPAKMOSFET N-Ch 100V 0.02 Ohm typ. 35A STripFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

32 A

Id-连续漏极电流

32 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD30N10F7DeepGATE™, STripFET™ VII

数据手册

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产品型号

STD30N10F7

Pd-PowerDissipation

50 W

Pd-功率耗散

50 W

Qg-GateCharge

19 nC

Qg-栅极电荷

19 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

24 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

24 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4.5 V

上升时间

17.5 ns

下降时间

5.6 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1270pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

19nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

24 毫欧 @ 16A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

DPAK

其它名称

497-14531-6

典型关闭延迟时间

22 ns

功率-最大值

50W

包装

Digi-Reel®

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

24 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

32 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

32A (Tc)

系列

STD30N10F7

配置

Single

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