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  • 型号: STD2NK90ZT4
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STD2NK90ZT4由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD2NK90ZT4价格参考。STMicroelectronicsSTD2NK90ZT4封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 900V 2.1A(Tc) 70W(Tc) DPAK。您可以下载STD2NK90ZT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD2NK90ZT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAKMOSFET N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2.1 A

Id-连续漏极电流

2.1 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD2NK90ZT4SuperMESH™

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产品型号

STD2NK90ZT4

Pd-PowerDissipation

70 W

Pd-功率耗散

70 W

Qg-GateCharge

19.5 nC

Qg-栅极电荷

19.5 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

6.5 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

6.5 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

900 V

Vds-漏源极击穿电压

900 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

11 ns

下降时间

40 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 50µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

485pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

27nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6.5 欧姆 @ 1.05A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

497-4332-1

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF83566?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

43 ns

功率-最大值

70W

包装

剪切带 (CT)

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

2.3 S

漏源极电压(Vdss)

900V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.1A (Tc)

系列

STD2NK90Z

通道模式

Enhancement

配置

Single

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