ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > STD2N95K5
Datasheet下载- 型号： STD2N95K5
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STD2N95K5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD2N95K5价格参考。STMicroelectronicsSTD2N95K5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 950V 2A（Tc） 45W（Tc） DPAK。您可以下载STD2N95K5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STD2N95K5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STD2N95K5 是由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其应用场景广泛，主要适用于需要高效开关和低导通电阻的电路设计。以下是该型号的主要应用场景： 1. 开关电源 (SMPS)： STD2N95K5 的低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性使其非常适合用于开关模式电源中的功率开关，例如降压、升压或反激式转换器。 2. 电机驱动： 该 MOSFET 可用于小型直流电机驱动电路，作为开关元件控制电机的启动、停止和速度调节。 3. 负载切换： 在需要频繁开启或关闭负载的系统中（如汽车电子或工业设备），STD2N95K5 能够提供高效的负载切换功能，同时减少能量损耗。 4. 电池管理系统 (BMS)： 用于保护电池组免受过流、短路等故障影响，通过快速切断电流路径来确保系统安全。 5. LED 驱动： 在 LED 照明应用中，STD2N95K5 可以用作恒流源的开关元件，实现精确的电流控制，从而调节 LED 的亮度。 6. 消费类电子产品： 包括充电器、适配器和其他便携式设备中，用于功率管理模块以提高效率并降低发热。 7. 工业自动化： 在工业控制系统中，该 MOSFET 可作为信号放大或功率输出级的一部分，驱动传感器、执行器或其他外设。 8. 通信设备： 用于基站、路由器等设备中的电源管理部分，提供稳定的电压和电流输出。 STD2N95K5 的典型特点包括低导通电阻（有助于减少功耗）、高击穿电压（支持更宽的工作范围）以及良好的热性能（适合长时间运行的应用）。这些特性使得它成为许多电力电子设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 950V 2A DPAKMOSFET N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD2N95K5SuperMESH5™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STD2N95K5 |
| Pd-PowerDissipation | 45 W |
| Pd-功率耗散 | 45 W |
| Qg-GateCharge | 10 nC |
| Qg-栅极电荷 | 10 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 950 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 950 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 13.5 ns |
| 下降时间 | 32.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 105pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 欧姆 @ 1A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 其它名称 | 497-14266-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 20.5 ns |
| 功率-最大值 | 45W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 950V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Tc） |
| 系列 | STD2N95K5 |
| 配置 | Single |
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