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STD18N55M5产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STD18N55M5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD18N55M5价格参考¥询价-¥询价。STMicroelectronicsSTD18N55M5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 550V 16A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK。您可以下载STD18N55M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD18N55M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 550V 13A DPAKMOSFET N-Ch 550V 0.18 13A Mdmesh V Power MOS |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 13 A |
Id-连续漏极电流 | 13 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD18N55M5MDmesh™ V |
数据手册 | |
产品型号 | STD18N55M5 |
Pd-PowerDissipation | 90 W |
Pd-功率耗散 | 90 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 240 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 240 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 550 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 550 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1260pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 192 mOhm @ 8A, 10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=21007 |
产品种类 | Power MOSFET Transistors |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | 497-10955-2 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF245209?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 110W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 240 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 2,500 |
汲极/源极击穿电压 | 550 V |
漏极连续电流 | 13 A |
漏源极电压(Vdss) | 550V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 16A (Tc) |
系列 | STD18N55M5 |