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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STD13N60M2由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD13N60M2价格参考¥6.24-¥6.88。STMicroelectronicsSTD13N60M2封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 600V 11A(Tc) 110W(Tc) DPAK。您可以下载STD13N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD13N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 11A DPAKMOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A MDmesh II Plus |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
Id-连续漏极电流 | 11 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD13N60M2MDmesh™ II Plus |
数据手册 | |
产品型号 | STD13N60M2 |
Pd-PowerDissipation | 110 W |
Pd-功率耗散 | 110 W |
Qg-GateCharge | 17 nC |
Qg-栅极电荷 | 17 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 380 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 380 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
上升时间 | 10 ns |
下降时间 | 9.5 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 580pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 380 毫欧 @ 5.5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | DPAK |
其它名称 | 497-13862-6 |
典型关闭延迟时间 | 41 ns |
功率-最大值 | 110W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Tc) |
系列 | STD13N60M2 |
配置 | Single |