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  • 型号: STD10N60M2
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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STD10N60M2产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STD10N60M2由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD10N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTD10N60M2封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 600V 7.5A(Tc) 85W(Tc) DPAK。您可以下载STD10N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD10N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V DPAKMOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh II

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

7.5 A

Id-连续漏极电流

7.5 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD10N60M2MDmesh™ II Plus

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产品型号

STD10N60M2

Pd-PowerDissipation

85 W

Pd-功率耗散

85 W

Qg-GateCharge

13.5 nC

Qg-栅极电荷

13.5 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

560 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

560 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V

上升时间

8 ns

下降时间

13.2 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

400pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

13.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

600 毫欧 @ 3A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

DPAK

其它名称

497-13937-6

典型关闭延迟时间

32.5 ns

功率-最大值

85W

包装

Digi-Reel®

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

600V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7.5A (Tc)

系列

STD10N60M2

配置

Single

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