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型号： STBV42-AP
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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STBV42-AP产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STBV42-AP由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STBV42-AP价格参考。STMicroelectronicsSTBV42-AP封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 1A 1W Through Hole TO-92AP。您可以下载STBV42-AP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STBV42-AP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS NPN FAST SW 400V TO-92两极晶体管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	STMicroelectronics
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,STMicroelectronics STBV42-AP-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	STBV42-AP
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	1.5V @ 250mA，750mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	10 @ 400mA，5V
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	TO-92AP
其它名称	497-12546-1
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL822/SC1229/PF64539?referrer=70071840
功率-最大值	1W
包装	剪切带（CT）
发射极-基极电压VEBO	9 V
商标	STMicroelectronics
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Ammo Pack
封装/外壳	TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
封装/箱体	TO-92
工厂包装数量	2000
晶体管极性	NPN
晶体管类型	NPN
最大功率耗散	1 W
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	1 A
最小工作温度	- 65 C
标准包装	1
电压-集射极击穿（最大值）	400V
电流-集电极(Ic)（最大值）	1A
电流-集电极截止（最大值）	1mA
直流电流增益hFE最大值	30
直流集电极/BaseGainhfeMin	10
系列	STBV42
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	400 V
集电极—射极饱和电压	0.4 V
集电极连续电流	1 A
频率-跃迁	-