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  • 型号: STB7NK80Z-1
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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STB7NK80Z-1产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STB7NK80Z-1由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB7NK80Z-1价格参考。STMicroelectronicsSTB7NK80Z-1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 800V 5.2A(Tc) 125W(Tc) I2PAK。您可以下载STB7NK80Z-1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STB7NK80Z-1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

STMicroelectronics

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

STB7NK80Z-1

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

SuperMESH™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1138pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

56nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.8 欧姆 @ 2.6A,10V

供应商器件封装

I2PAK

其它名称

497-12539-5
STB7NK80Z-1-ND

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF223242?referrer=70071840

功率-最大值

125W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

800V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.2A (Tc)

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