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STB7NK80Z-1产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STB7NK80Z-1由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB7NK80Z-1价格参考。STMicroelectronicsSTB7NK80Z-1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 800V 5.2A(Tc) 125W(Tc) I2PAK。您可以下载STB7NK80Z-1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STB7NK80Z-1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STB7NK80Z-1 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | SuperMESH™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1138pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.8 欧姆 @ 2.6A,10V |
供应商器件封装 | I2PAK |
其它名称 | 497-12539-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF223242?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 125W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 800V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.2A (Tc) |