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STB75NH02LT4产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STB75NH02LT4由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB75NH02LT4价格参考。STMicroelectronicsSTB75NH02LT4封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 24V 60A(Tc) 80W(Tc) D2PAK。您可以下载STB75NH02LT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STB75NH02LT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STB75NH02LT4 |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | STripFET™ III |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.8V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2050pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8 毫欧 @ 30A,10V |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | 497-3515-1 |
功率-最大值 | 80W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 24V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 60A (Tc) |