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  • 型号: STB75NF75T4
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STB75NF75T4由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB75NF75T4价格参考。STMicroelectronicsSTB75NF75T4封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 75V 80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK。您可以下载STB75NF75T4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STB75NF75T4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 75V 80A D2PAKMOSFET N-Ch, 75V-0.0095ohms 80A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

80 A

Id-连续漏极电流

80 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB75NF75T4STripFET™ II

数据手册

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产品型号

STB75NF75T4

Pd-PowerDissipation

300 W

Pd-功率耗散

300 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

11 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

11 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

75 V

Vds-漏源极击穿电压

75 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V

上升时间

100 ns

下降时间

30 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3700pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

160nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

11 毫欧 @ 40A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF64516?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

66 ns

功率-最大值

300W

包装

带卷 (TR)

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,000

正向跨导-最小值

20 S

漏源极电压(Vdss)

75V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

80A (Tc)

系列

STB75NF75

通道模式

Enhancement

配置

Single

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