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Datasheet下载- 型号： STB75NF75T4
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB75NF75T4由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB75NF75T4价格参考。STMicroelectronicsSTB75NF75T4封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK。您可以下载STB75NF75T4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB75NF75T4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STB75NF75T4是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的电力电子设备中。该器件具有75V的击穿电压（Vds），最大导通电阻（Rds(on)）为7.5mΩ（在Vgs=10V时），能够承受高达162A的脉冲电流（Ibm）。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 STB75NF75T4常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等电源管理系统中。它能够在高频开关条件下保持较低的功耗，提高电源转换效率。由于其低导通电阻特性，适合用于大电流输出的应用场景，如服务器、通信设备、工业自动化系统中的电源模块。 2. 电机驱动 在电动工具、家用电器（如吸尘器、洗衣机等）以及小型工业电机驱动中，STB75NF75T4可以作为高效的开关元件，控制电机的启停和调速。它的快速开关特性和低损耗有助于提高电机驱动系统的效率，并减少发热问题。 3. 电池管理系统（BMS） 在电动汽车、储能系统等电池管理系统中，STB75NF75T4可用于电池充放电控制电路中，确保电池的安全和稳定运行。它可以实现对电池组的精确控制，防止过充、过放等问题，同时降低能耗。 4. 负载切换与保护 该MOSFET适用于各种负载切换应用，例如汽车电子中的负载切换、LED照明控制等。它可以快速响应负载变化，提供可靠的开关功能，同时具备短路保护、过流保护等功能，确保系统的安全性和稳定性。 5. 逆变器 在光伏逆变器、不间断电源（UPS）等设备中，STB75NF75T4可用于逆变电路中，将直流电转换为交流电。其低导通电阻和高开关频率特性有助于提高逆变器的效率，减少能量损失。 总之，STB75NF75T4凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于各类电力电子设备中，特别是在需要高效开关和低损耗的场合表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 80A D2PAKMOSFET N-Ch, 75V-0.0095ohms 80A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB75NF75T4STripFET™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STB75NF75T4 |
| Pd-PowerDissipation | 300 W |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 11 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 100 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 160nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 40A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF64516?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 66 ns |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 正向跨导-最小值 | 20 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
| 系列 | STB75NF75 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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