【晶体管 - FET，MOSFET - 单_STB6NK90ZT4】封装/厂家_STB6NK90ZT4中文资料_价格

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型号： STB6NK90ZT4
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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STB6NK90ZT4产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STB6NK90ZT4由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB6NK90ZT4价格参考。STMicroelectronicsSTB6NK90ZT4封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 900V 5.8A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK。您可以下载STB6NK90ZT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB6NK90ZT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAKMOSFET N-Ch 900 Volt 5.8 A Zener SuperMESH
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	5.8 A
Id-连续漏极电流	5.8 A
品牌	STMicroelectronics
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB6NK90ZT4SuperMESH™
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	STB6NK90ZT4
Pd-PowerDissipation	140 W
Pd-功率耗散	140 W
Qg-GateCharge	46.5 nC
Qg-栅极电荷	46.5 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	2 Ohms
RdsOn-漏源导通电阻	2 Ohms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	900 V
Vds-漏源极击穿电压	900 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
上升时间	45 ns
下降时间	20 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4.5V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1350pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	60.5nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	2 欧姆 @ 2.9A，10V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D2PAK
其它名称	497-6555-1
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF67847?referrer=70071840
典型关闭延迟时间	20 ns
功率-最大值	140W
包装	剪切带（CT）
商标	STMicroelectronics
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
封装/箱体	D2PAK-2
工厂包装数量	1000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	5 S
漏源极电压(Vdss)	900V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	5.8A （Tc）
系列	STB6NK90Z
通道模式	Enhancement
配置	Single