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Datasheet下载- 型号： STB5N52K3
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB5N52K3由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB5N52K3价格参考。STMicroelectronicsSTB5N52K3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 525V 4.4A（Tc） 70W（Tc） D2PAK。您可以下载STB5N52K3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB5N52K3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STB5N52K3是一款单通道MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），属于增强型N沟道功率MOSFET。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于多种电力电子应用。 应用场景： 1. 电源管理： STB5N52K3广泛应用于各种电源管理系统中，如DC-DC转换器、开关模式电源（SMPS）等。其低导通电阻（Rds(on)）特性可以有效减少传导损耗，提高电源转换效率。此外，它还可以用于电池充电电路中，作为开关元件控制充电电流。 2. 电机驱动： 在小型电机驱动应用中，STB5N52K3可以用作H桥或半桥电路中的开关元件，实现对电机的正反转控制。其快速开关特性和低导通电阻有助于提高电机驱动系统的效率，并降低发热。 3. 负载开关： 该MOSFET适用于负载开关应用，例如在便携式电子设备中，用于控制不同模块的供电路径。通过精确控制MOSFET的开关状态，可以有效地管理功耗，延长电池寿命。 4. 保护电路： STB5N52K3可以用于过流保护、短路保护等电路中。当检测到异常电流时，MOSFET可以迅速切断电路，防止损坏其他元件。其内置的ESD保护功能也增强了电路的鲁棒性。 5. 信号调理： 在一些模拟信号处理电路中，STB5N52K3可以用作信号切换元件，实现信号路径的选择和隔离。其低栅极电荷（Qg）特性使得它在高频应用中表现出色。 6. 消费电子： 该器件常用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中，作为电源管理、音频放大器和其他外设的开关元件。其紧凑的封装形式（如SOT-23）使其适合小型化设计。 7. 工业自动化： 在工业控制系统中，STB5N52K3可以用于驱动传感器、执行器等外围设备，实现远程控制和数据采集。其高可靠性和稳定性确保了工业环境下的长期稳定运行。 总之，STB5N52K3凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于广泛的电力电子应用，特别是在需要高效、紧凑和可靠的开关解决方案的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 525V 4.4A D2PAKMOSFET N-Ch 525V 1.2 Ohm 4.4A SuperMESH3 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 4.4 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB5N52K3SuperMESH3™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STB5N52K3 |
| Pd-PowerDissipation | 70 W |
| Pd-功率耗散 | 70 W |
| Qg-GateCharge | 17 nC |
| Qg-栅极电荷 | 17 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 525 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.75 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.75 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 545pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.5 欧姆 @ 2.2A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-11091-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF251172?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 70W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.2 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 525 V |
| 漏极连续电流 | 4.4 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 525V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.4A （Tc） |
| 系列 | STB5N52K3 |
| 配置 | Single |
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