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Datasheet下载- 型号： STB55NF06T4
- 制造商： STMicroelectronics
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STB55NF06T4产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB55NF06T4由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB55NF06T4价格参考。STMicroelectronicsSTB55NF06T4封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 110W（Tc） D2PAK。您可以下载STB55NF06T4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB55NF06T4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STB55NF06T4 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 漏极功率 MOSFET，具有低导通电阻和高开关速度的特点。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：该器件广泛应用于各类电源管理系统中，如 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等。它能够高效地进行电压转换，减少能量损耗，提高电源效率。在这些应用中，STB55NF06T4 可以作为同步整流管或主开关管使用。 2. 电机驱动：用于无刷直流电机（BLDC）、步进电机和其他类型的电机驱动电路。它可以快速响应电流变化，提供稳定的电流输出，确保电机平稳运行。此外，在电动工具、家用电器等领域也有广泛应用。 3. 负载开关：适用于需要频繁开启和关闭的负载设备，如 LED 照明系统、USB 充电端口保护电路等。通过精确控制导通与截止状态，实现对负载的有效管理和保护。 4. 电池管理系统 (BMS)：用于锂电池等二次电池的充放电保护电路中，防止过充、过放及短路等问题发生。同时还能起到均衡各节电池电压的作用，延长电池使用寿命。 5. 汽车电子：符合 AEC-Q101 标准，可用于汽车电子设备中的各种开关操作，如车身控制系统、娱乐信息系统等。其耐高温特性使得它能够在严苛的工作环境下稳定工作。 总之，STB55NF06T4 凭借其优良的电气性能和可靠性，在众多领域都有着广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAKMOSFET N-Ch 60 Volt 50 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB55NF06T4STripFET™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STB55NF06T4 |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 18 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 18 毫欧 @ 27.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-6553-6 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF64497?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 36 ns |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 18 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
| 系列 | STB55NF06 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
