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  • 型号: STB4NK60ZT4
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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STB4NK60ZT4产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STB4NK60ZT4由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB4NK60ZT4价格参考。STMicroelectronicsSTB4NK60ZT4封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 600V 4A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount D2PAK。您可以下载STB4NK60ZT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STB4NK60ZT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 600V 4A D2PAKMOSFET N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

4 A

Id-连续漏极电流

4 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB4NK60ZT4SuperMESH™

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产品型号

STB4NK60ZT4

Pd-PowerDissipation

70 W

Pd-功率耗散

70 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

2 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

2 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

9.5 ns

下降时间

16.5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 50µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

510pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

26nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2 欧姆 @ 2A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

497-2486-2

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF67139?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

29 ns

功率-最大值

70W

包装

带卷 (TR)

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,000

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4A (Tc)

系列

STB4NK60Z

通道模式

Enhancement

配置

Single

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