图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: STB45N65M5
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

STB45N65M5产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STB45N65M5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB45N65M5价格参考¥18.41-¥18.41。STMicroelectronicsSTB45N65M5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 650V 35A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount D2PAK。您可以下载STB45N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STB45N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N CH 650V 35A D2PAKMOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh V MOS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

35 A

Id-连续漏极电流

35 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB45N65M5MDmesh™ V

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

STB45N65M5

Pd-PowerDissipation

208 W

Pd-功率耗散

208 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

78 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

78 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

650 V

Vds-漏源极击穿电压

650 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3375pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

91nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

78 毫欧 @ 19.5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D²PAK

其它名称

497-12940-1

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253426?referrer=70071840

功率-最大值

208W

包装

剪切带 (CT)

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

650V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

35A (Tc)

系列

STB45N65M5

STB45N65M5 相关产品

BUK7Y6R0-60EX

品牌:Nexperia USA Inc.

价格:

STW75NF20

品牌:STMicroelectronics

价格:

TK65G10N1,RQ

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

价格:

AOK8N80L

品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

价格:

IRFR9014TRR

品牌:Vishay Siliconix

价格:

FQT3P20TF

品牌:ON Semiconductor

价格:¥1.57-¥1.68

SSM6J212FE,LF

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

价格:

FDD14AN06LA0

品牌:ON Semiconductor

价格:¥9.61-¥9.61