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  • 型号: STB26NM60N
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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STB26NM60N产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STB26NM60N由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB26NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTB26NM60N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 600V 20A(Tc) 140W(Tc) D2PAK。您可以下载STB26NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STB26NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

STMicroelectronics

数据手册

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产品图片

产品型号

STB26NM60N

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

MDmesh™ II

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1800pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

60nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

165 毫欧 @ 10A,10V

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

497-10985-6

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF244422?referrer=70071840

功率-最大值

140W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

20A (Tc)

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