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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STB25NM60N |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | MDmesh™ II |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 84nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 160 毫欧 @ 10.5A,10V |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | 497-5003-1 |
功率-最大值 | 160W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 21A (Tc) |