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  • 型号: STB24NM60N
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STB24NM60N由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB24NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTB24NM60N封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STB24NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STB24NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 600V 17A D2PAKMOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

17 A

Id-连续漏极电流

17 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB24NM60NMDmesh™ II

数据手册

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产品型号

STB24NM60N

Pd-PowerDissipation

125 W

Pd-功率耗散

125 W

Qg-GateCharge

46 nC

Qg-栅极电荷

46 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

168 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

168 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V

上升时间

16.5 ns

下降时间

37 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1400pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

46nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

190 毫欧 @ 8A,10V

产品种类

Power MOSFET Transistors

供应商器件封装

D²PAK

其它名称

497-11211-6

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF251514?referrer=70071840

功率-最大值

125W

包装

Digi-Reel®

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

168 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

600 V

漏极连续电流

17 A

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

17A (Tc)

系列

STB24NM60N

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