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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STB24NM60N由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB24NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTB24NM60N封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STB24NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STB24NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 17A D2PAKMOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 17 A |
Id-连续漏极电流 | 17 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB24NM60NMDmesh™ II |
数据手册 | |
产品型号 | STB24NM60N |
Pd-PowerDissipation | 125 W |
Pd-功率耗散 | 125 W |
Qg-GateCharge | 46 nC |
Qg-栅极电荷 | 46 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 168 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 168 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
上升时间 | 16.5 ns |
下降时间 | 37 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 46nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 190 毫欧 @ 8A,10V |
产品种类 | Power MOSFET Transistors |
供应商器件封装 | D²PAK |
其它名称 | 497-11211-6 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF251514?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 125W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 168 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 600 V |
漏极连续电流 | 17 A |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17A (Tc) |
系列 | STB24NM60N |