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STB24N60M2产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STB24N60M2由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB24N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTB24N60M2封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 600V 18A(Tc) 150W(Tc) D2PAK。您可以下载STB24N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STB24N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 600V 18A D2PAKMOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh II Plus |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
Id-连续漏极电流 | 18 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB24N60M2MDmesh™ II Plus |
数据手册 | |
产品型号 | STB24N60M2 |
Pd-PowerDissipation | 150 W |
Pd-功率耗散 | 150 W |
Qg-GateCharge | 29 nC |
Qg-栅极电荷 | 29 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 190 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
上升时间 | 9 ns |
下降时间 | 61 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1060pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 190 毫欧 @ 9A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D²PAK |
其它名称 | 497-13575-1 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF255395?referrer=70071840 |
典型关闭延迟时间 | 15 ns |
功率-最大值 | 150W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A (Tc) |
系列 | STB24N60M2 |