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STB20NM50T4产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STB20NM50T4由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB20NM50T4价格参考。STMicroelectronicsSTB20NM50T4封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 550V 20A(Tc) 192W(Tc) D2PAK。您可以下载STB20NM50T4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STB20NM50T4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 550V 20A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STB20NM50T4 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | MDmesh™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1480pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 250 毫欧 @ 10A,10V |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | 497-5312-2 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF67112?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 192W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 550V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A (Tc) |