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  • 型号: STB18N60M2
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STB18N60M2由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB18N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTB18N60M2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STB18N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STB18N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 600V D2PAKMOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh II

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

13 A

Id-连续漏极电流

13 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB18N60M2MDmesh™ II Plus

数据手册

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产品型号

STB18N60M2

Pd-PowerDissipation

110 W

Pd-功率耗散

110 W

Qg-GateCharge

21.5 nC

Qg-栅极电荷

21.5 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

255 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

255 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V

上升时间

9 ns

下降时间

10.6 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

791pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

21.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

280 毫欧 @ 6.5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

497-13933-1

典型关闭延迟时间

47 ns

功率-最大值

110W

包装

剪切带 (CT)

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

600V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

13A (Tc)

系列

STB18N60M2

配置

Single

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