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  • 型号: STB13NK60ZT4
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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STB13NK60ZT4产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STB13NK60ZT4由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB13NK60ZT4价格参考¥10.81-¥10.81。STMicroelectronicsSTB13NK60ZT4封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 600V 13A(Tc) 150W(Tc) D2PAK。您可以下载STB13NK60ZT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STB13NK60ZT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

STMicroelectronics

数据手册

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产品图片

产品型号

STB13NK60ZT4

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

SuperMESH™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2030pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

92nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

550 毫欧 @ 4.5A,10V

产品目录页面

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供应商器件封装

D2PAK

其它名称

497-6546-2
STB13NK60ZT4-ND

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF223099?referrer=70071840

功率-最大值

150W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

1,000

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

13A (Tc)

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