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  • 型号: STB13N80K5
  • 制造商: STMicroelectronics
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STB13N80K5产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STB13N80K5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB13N80K5价格参考。STMicroelectronicsSTB13N80K5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 800V 12A(Tc) 190W(Tc) D2PAK。您可以下载STB13N80K5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STB13N80K5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 800V 12A D2PAKMOSFET N-CH 800V 0.37Ohm 12A SuperMESH 5

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

12 A

Id-连续漏极电流

12 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB13N80K5SuperMESH5™

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产品型号

STB13N80K5

Pd-PowerDissipation

190 W

Pd-功率耗散

190 W

Qg-GateCharge

29 nC

Qg-栅极电荷

29 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

450 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

450 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

800 V

Vds-漏源极击穿电压

800 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

16 ns

下降时间

16 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

870pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

29nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

450 毫欧 @ 6A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

497-13860-1

典型关闭延迟时间

42 ns

功率-最大值

190W

包装

剪切带 (CT)

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

800V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12A (Tc)

系列

STB13N80K5

配置

Single

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