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  • 型号: STB11NK50ZT4
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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STB11NK50ZT4产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STB11NK50ZT4由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB11NK50ZT4价格参考。STMicroelectronicsSTB11NK50ZT4封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 500V 10A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK。您可以下载STB11NK50ZT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STB11NK50ZT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 500V 10A D2PAKMOSFET N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

10 A

Id-连续漏极电流

10 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB11NK50ZT4SuperMESH™

数据手册

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产品型号

STB11NK50ZT4

Pd-PowerDissipation

125 W

Pd-功率耗散

125 W

Qg-GateCharge

49 nC

Qg-栅极电荷

49 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

480 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

480 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

18 ns

下降时间

15 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1390pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

68nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

520 毫欧 @ 4.5A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

497-2451-6

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF74567?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

41 ns

功率-最大值

125W

包装

Digi-Reel®

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

77 S

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

10A (Tc)

系列

STB11NK50Z

通道模式

Enhancement

配置

Single

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