ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > STB10N65K3
Datasheet下载- 型号： STB10N65K3
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB10N65K3由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB10N65K3价格参考。STMicroelectronicsSTB10N65K3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 650V 10A（Tc） 150W（Tc） D2PAK。您可以下载STB10N65K3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB10N65K3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STB10N65K3是一款N沟道功率MOSFET，具有650V的击穿电压和10A的连续漏极电流。这款MOSFET适用于多种电力电子应用，尤其在需要高效、可靠开关性能的场景中表现出色。 应用场景： 1. 开关电源（SMPS）： STB10N65K3广泛应用于开关电源中，作为主开关管或同步整流器。其高耐压特性使其能够在高压输入条件下稳定工作，适用于AC-DC转换器、DC-DC变换器等场合。低导通电阻有助于减少传导损耗，提高电源转换效率。 2. 电机驱动： 在电机驱动应用中，STB10N65K3可以用于控制电机的启动、停止和调速。其快速开关特性和低导通电阻使得它能够高效地控制大电流负载，同时保持较低的功耗。适用于无刷直流电机（BLDC）、步进电机和其他类型的电机控制系统。 3. 逆变器： 该MOSFET可用于光伏逆变器、UPS不间断电源等设备中。在这些应用中，MOSFET需要频繁进行开关操作以实现直流到交流的转换。STB10N65K3的高耐压和低损耗特性确保了逆变器在不同负载条件下的稳定运行。 4. 电池管理系统（BMS）： 在电池管理系统中，STB10N65K3可以用作充放电控制开关。其高耐压能力使其能够承受电池组的高压环境，而低导通电阻则减少了能量损失，延长了电池寿命。 5. 工业自动化： 在工业自动化设备中，如PLC控制器、伺服驱动器等，STB10N65K3可以用于信号隔离、负载切换等功能。其可靠的开关性能和耐用性满足了工业环境中对稳定性的要求。 总之，STB10N65K3凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于各种需要高效开关和高耐压能力的应用场景，特别适合于电力电子领域中的关键组件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 10A D2PAKMOSFET N-CH 650V 0.75Ohm 10A Zener-protected |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB10N65K3SuperMESH3™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STB10N65K3 |
| Pd-PowerDissipation | 150 W |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| Qg-GateCharge | 42 nC |
| Qg-栅极电荷 | 42 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 750 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 750 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1180pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 42nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1 欧姆 @ 3.6A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-14032-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 44 ns |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 商标名 | SuperMesh |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
| 系列 | STB10N65K3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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