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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SSVBC846BPDW1T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSVBC846BPDW1T1G价格参考。ON SemiconductorSSVBC846BPDW1T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SSVBC846BPDW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SSVBC846BPDW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SSVBC846BPDW1T1G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款双极型晶体管(BJT)阵列。该型号的应用场景主要包括以下方面: 1. 信号切换与放大 - SSVBC846BPDW1T1G 可用于低功率信号的切换和放大,适用于音频设备、传感器信号处理等场景。 - 在消费电子领域,例如遥控器、小型音频放大器中,可以作为信号驱动或增益放大元件。 2. 开关电路 - 该器件支持高速开关操作,适合用于数字逻辑电路中的开关应用,例如 LED 驱动、继电器控制或其他低功率负载的通断控制。 - 在汽车电子中,可用于控制指示灯、仪表盘灯光等小电流负载。 3. 电源管理 - 在一些低功耗电源管理系统中,SSVBC846BPDW1T1G 可用作电流调节器或电压稳定器的一部分,帮助实现简单的稳压功能。 - 适用于电池供电设备中的电流监控或保护电路。 4. 电机控制 - 对于小型直流电机或步进电机,该 BJT 阵列可以用作驱动级的一部分,提供必要的电流放大以控制电机运行。 - 在玩具、家用电器(如风扇、泵)等领域有潜在应用。 5. 通信设备 - 在低频通信电路中,SSVBC846BPDW1T1G 可用于调制解调、滤波或信号调理等任务。 - 适用于无线发射器、接收器中的前置放大或缓冲功能。 6. 工业自动化 - 在工业控制领域,该晶体管阵列可用于 PLC(可编程逻辑控制器)输入/输出模块中的信号隔离或放大。 - 也可用于简单的过程控制系统,例如温度、压力传感器的信号处理。 特性优势: - 高集成度:作为阵列产品,SSVBC846BPDW1T1G 提供多个晶体管单元,节省 PCB 空间并简化设计。 - 可靠性强:ON Semiconductor 的制造工艺确保了其在恶劣环境下的稳定性能。 - 低功耗:适合对功耗敏感的应用场合。 总之,SSVBC846BPDW1T1G 主要应用于需要低功率、多通道晶体管支持的场景,广泛覆盖消费电子、汽车电子、工业控制和通信设备等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS ARRAY NPN/PNP 65V SOT363两极晶体管 - BJT SS DUAL GEN XSTR |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor SSVBC846BPDW1T1G* |
mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
数据手册 | |
产品型号 | SSVBC846BPDW1T1G |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
发射极-基极电压VEBO | - 5 V, 6 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/箱体 | SOT-363 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN/PNP |
最大功率耗散 | 250 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | - 100 mA, 100 mA |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
直流电流增益hFE最大值 | 475 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
系列 | SSVBC846BPDW1T1G |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | -65 V, 65 V |
集电极—基极电压VCBO | -80 V, 80 V |
集电极—射极饱和电压 | - 0.3 V, 0.25 V |
集电极连续电流 | 100 mA |