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  • 型号: SSVBC846BPDW1T1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SSVBC846BPDW1T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSVBC846BPDW1T1G价格参考。ON SemiconductorSSVBC846BPDW1T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SSVBC846BPDW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SSVBC846BPDW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SSVBC846BPDW1T1G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款双极型晶体管(BJT)阵列。该型号的应用场景主要包括以下方面:

 1. 信号切换与放大
   - SSVBC846BPDW1T1G 可用于低功率信号的切换和放大,适用于音频设备、传感器信号处理等场景。
   - 在消费电子领域,例如遥控器、小型音频放大器中,可以作为信号驱动或增益放大元件。

 2. 开关电路
   - 该器件支持高速开关操作,适合用于数字逻辑电路中的开关应用,例如 LED 驱动、继电器控制或其他低功率负载的通断控制。
   - 在汽车电子中,可用于控制指示灯、仪表盘灯光等小电流负载。

 3. 电源管理
   - 在一些低功耗电源管理系统中,SSVBC846BPDW1T1G 可用作电流调节器或电压稳定器的一部分,帮助实现简单的稳压功能。
   - 适用于电池供电设备中的电流监控或保护电路。

 4. 电机控制
   - 对于小型直流电机或步进电机,该 BJT 阵列可以用作驱动级的一部分,提供必要的电流放大以控制电机运行。
   - 在玩具、家用电器(如风扇、泵)等领域有潜在应用。

 5. 通信设备
   - 在低频通信电路中,SSVBC846BPDW1T1G 可用于调制解调、滤波或信号调理等任务。
   - 适用于无线发射器、接收器中的前置放大或缓冲功能。

 6. 工业自动化
   - 在工业控制领域,该晶体管阵列可用于 PLC(可编程逻辑控制器)输入/输出模块中的信号隔离或放大。
   - 也可用于简单的过程控制系统,例如温度、压力传感器的信号处理。

 特性优势:
- 高集成度:作为阵列产品,SSVBC846BPDW1T1G 提供多个晶体管单元,节省 PCB 空间并简化设计。
- 可靠性强:ON Semiconductor 的制造工艺确保了其在恶劣环境下的稳定性能。
- 低功耗:适合对功耗敏感的应用场合。

总之,SSVBC846BPDW1T1G 主要应用于需要低功率、多通道晶体管支持的场景,广泛覆盖消费电子、汽车电子、工业控制和通信设备等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS ARRAY NPN/PNP 65V SOT363两极晶体管 - BJT SS DUAL GEN XSTR

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor SSVBC846BPDW1T1G*

mouser_ship_limit

该产品可能需要其他文件才能进口到中国。

数据手册

产品型号

SSVBC846BPDW1T1G

产品种类

两极晶体管 - BJT

发射极-基极电压VEBO

- 5 V, 6 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

100 MHz

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/箱体

SOT-363

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN/PNP

最大功率耗散

250 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

- 100 mA, 100 mA

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

直流电流增益hFE最大值

475

直流集电极/BaseGainhfeMin

200

系列

SSVBC846BPDW1T1G

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

-65 V, 65 V

集电极—基极电压VCBO

-80 V, 80 V

集电极—射极饱和电压

- 0.3 V, 0.25 V

集电极连续电流

100 mA

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