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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM6P35FE(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM6P35FE(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM6P35FE(TE85L,F)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SSM6P35FE(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SSM6P35FE(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6 |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6P35FE点击此处下载产品Datasheet |
产品图片 | |
产品型号 | SSM6P35FE(TE85L,F) |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 12.2pF @ 3V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8 欧姆 @ 50mA,4V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24813 |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | ES6(1.6x1.6) |
其它名称 | SSM6P35FE(TE85LF)CT |
功率-最大值 | 150mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100mA |