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Datasheet下载- 型号： SSM6P15FE(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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SSM6P15FE(TE85L,F)产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM6P15FE(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM6P15FE(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM6P15FE(TE85L,F)封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 100mA 150mW 表面贴装 ES6（1.6x1.6）。您可以下载SSM6P15FE(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSM6P15FE(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6P15FE点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | SSM6P15FE(TE85L,F) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.7V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9.1pF @ 3V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12 欧姆 @ 10mA，4V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24813 |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | ES6（1.6x1.6） |
| 其它名称 | SSM6P15FE(TE85LF)CT |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100mA |
