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  • 型号: SSM6N55NU,LF
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SSM6N55NU,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM6N55NU,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM6N55NU,LF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SSM6N55NU,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SSM6N55NU,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N CH 30V 4A UDFN6MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

4 A

Id-连续漏极电流

4 A

品牌

ToshibaToshiba Semiconductor and Storage

产品手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N55NU

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Toshiba SSM6N55NU,LF-

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N55NU

产品型号

SSM6N55NU,LFSSM6N55NU,LF

Pd-PowerDissipation

1 W

Pd-功率耗散

1 W

Qg-GateCharge

2.5 nC

Qg-栅极电荷

2.5 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

64 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

64 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.3 V to 2.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.3 V to 2.5 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

280pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

2.5nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

46 毫欧 @ 4A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-µDFN(2x2)

其它名称

SSM6N55NULFCT

功率-最大值

1W

包装

剪切带 (CT)

商标

Toshiba

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-WDFN 裸露焊盘

封装/箱体

UDFN-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/ssm6n55nussm6n57nu-mosfets/50273

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4A

配置

Single

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