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  • 型号: SSM6J771G,LF
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SSM6J771G,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM6J771G,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM6J771G,LF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SSM6J771G,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SSM6J771G,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSPMOSFET P-Ch SSM -5A -20V 12V VGSS 0.035Ohm

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 5 A

Id-连续漏极电流

- 5 A

品牌

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Toshiba SSM6J771G,LF-

数据手册

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产品型号

SSM6J771G,LFSSM6J771G,LF

Pd-PowerDissipation

5 W

Pd-功率耗散

5 W

Qg-GateCharge

9.8 nC

Qg-栅极电荷

9.8 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

26 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

26 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 1.2 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 1.2 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.2V @ 1mA, 3V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

870pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

9.8nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

31 毫欧 @ 3A, 8.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

*

其它名称

SSM6J771GLFTR

典型关闭延迟时间

90 ns

功率-最大值

1.2W

包装

带卷 (TR)

商标

Toshiba

安装类型

*

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

26 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

6-UFBGA,WLCSP

封装/箱体

WCSP-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

19 S

汲极/源极击穿电压

- 20 V

漏极连续电流

- 5 A

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5A (Ta)

配置

Dual Common Drain

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