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  • 型号: SSM6J505NU,LF
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SSM6J505NU,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM6J505NU,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM6J505NU,LF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 12V 12A(Ta) 1.25W(Ta) 6-UDFNB(2x2)。您可以下载SSM6J505NU,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SSM6J505NU,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET P CH 12V 12A UDFN6BMOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -12A -12V 1200pF

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平栅极,1.2V 驱动

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

- 12 A

品牌

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba

产品手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J505NU

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Toshiba SSM6J505NU,LF-

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J505NU

产品型号

SSM6J505NU,LFSSM6J505NU,LF

Pd-PowerDissipation

1.25 W

Pd-功率耗散

1.25 W

Qg-GateCharge

37.6 nC

Qg-栅极电荷

37.6 nC

RdsOn-漏源导通电阻

61 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

- 12 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

6 V

Vgs-栅源极击穿电压

6 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 0.3 V to - 1 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 0.3 V to - 1 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2700pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

37.6nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

12 毫欧 @ 4A, 4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-UDFN (2x2)

其它名称

SSM6J505NULFCT

功率-最大值

1.25W

包装

剪切带 (CT)

商标

Toshiba

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

61 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

6-WDFN 裸露焊盘

封装/箱体

UDFN-6B

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

- 12 V

漏极连续电流

- 12 A

漏源极电压(Vdss)

12V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/low-rdson-pchannel-mosfet/50146

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12A (Ta)

配置

Single

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