ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SSM6J501NU,LF
Datasheet下载- 型号： SSM6J501NU,LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM6J501NU,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM6J501NU,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM6J501NU,LF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 10A（Ta） 1W（Ta） 6-UDFNB（2x2）。您可以下载SSM6J501NU,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSM6J501NU,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | Toshiba |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba SSM6J501NU,LF |
| 产品型号 | SSM6J501NU,LF |
| Pd-PowerDissipation | 1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| Qg-GateCharge | 29.9 nC |
| Qg-栅极电荷 | 29.9 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 15.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 15.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 商标 | Toshiba |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 15.3 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | UDFN-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 10 A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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