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型号： SSM6J501NU,LF
制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SSM6J501NU,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM6J501NU,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM6J501NU,LF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 P 沟道 20V 10A（Ta） 1W（Ta） 6-UDFNB（2x2）。您可以下载SSM6J501NU,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSM6J501NU,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SSM6J501NU,LF 是由 Toshiba Semiconductor and Storage 生产的一款单通道 MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）。它属于 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点。以下是该型号的应用场景：

 1. 电源管理
   SSM6J501NU,LF 广泛应用于各种电源管理系统中，如直流-直流转换器（DC-DC Converter）、线性稳压器（LDO）等。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高电源效率。适用于笔记本电脑、智能手机、平板电脑等便携式设备的电源管理模块。

 2. 电机驱动
   在小型电机驱动应用中，SSM6J501NU,LF 可以作为开关元件，控制电机的启动、停止和调速。例如，在电动工具、家用电器（如吸尘器、风扇等）以及自动化设备中，它可以高效地控制电机的工作状态，确保系统的稳定性和可靠性。

 3. 负载切换
   该型号 MOSFET 还可用于负载切换电路中，实现对不同负载的快速响应和精确控制。例如，在汽车电子系统中，它可以用于控制车灯、雨刷、空调等设备的电源通断，确保这些设备在需要时能够迅速启动或关闭。

 4. 电池保护
   在电池管理系统（BMS）中，SSM6J501NU,LF 可以用于电池的充放电保护电路。通过检测电池电压和电流的变化，MOSFET 可以及时切断电路，防止过充、过放、短路等情况的发生，从而延长电池寿命并提高安全性。

 5. 信号放大与缓冲
   在一些信号处理电路中，SSM6J501NU,LF 可以用作信号放大器或缓冲器。它能够将微弱的输入信号放大到足够的强度，以便后续电路进行处理。这种应用场景常见于通信设备、音频设备等。

 6. LED 驱动
   对于 LED 照明系统，SSM6J501NU,LF 可以作为驱动元件，控制 LED 的亮度和工作状态。它能够提供稳定的电流输出，确保 LED 灯具在不同条件下都能正常工作，并且具有较长的使用寿命。

总之，SSM6J501NU,LF 凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于多种电子设备和系统中的关键控制和保护功能。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
ChannelMode	Enhancement
Id-ContinuousDrainCurrent	10 A
Id-连续漏极电流	10 A
品牌	Toshiba
产品目录	半导体
描述	MOSFET PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品系列	晶体管,MOSFET,Toshiba SSM6J501NU,LF
产品型号	SSM6J501NU,LF
Pd-PowerDissipation	1 W
Pd-功率耗散	1 W
Qg-GateCharge	29.9 nC
Qg-栅极电荷	29.9 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	15.3 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	15.3 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vds-漏源极击穿电压	- 20 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 8 V
Vgs-栅源极击穿电压	8 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	- 1 V
Vgsth-栅源极阈值电压	- 1 V
产品种类	MOSFET
商标	Toshiba
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	15.3 mOhms
封装	Reel
封装/箱体	UDFN-6
工厂包装数量	3000
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
汲极/源极击穿电压	20 V
漏极连续电流	10 A
通道模式	Enhancement
配置	Single