ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SSM6J414TU,LF
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- 型号： SSM6J414TU,LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM6J414TU,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM6J414TU,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM6J414TU,LF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 6A（Ta） 1W（Ta） UF6。您可以下载SSM6J414TU,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSM6J414TU,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SSM6J414TU,LF 是 Toshiba Semiconductor and Storage 生产的一款单通道 MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）。这款 MOSFET 具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压等特点，适用于多种应用场景。以下是其主要应用领域： 1. 电源管理 SSM6J414TU,LF 可用于各种电源管理系统中，如DC-DC转换器、线性稳压器等。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高电源效率。在电池供电设备中，该器件可以有效延长电池寿命。 2. 电机驱动 在小型电机驱动电路中，SSM6J414TU,LF 可以作为开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。它能够承受较高的电流和电压波动，确保电机运行稳定。 3. 负载开关 该 MOSFET 可用于负载开关应用，如USB端口保护、智能家电中的负载切换等。其快速开关速度和低导通电阻使其能够在短时间内响应负载变化，同时减少发热。 4. 信号切换 在需要高频信号切换的场合，如通信设备、音频处理电路中，SSM6J414TU,LF 的快速开关特性和低寄生电容使其成为理想选择。它可以实现高速信号的精确切换，确保信号完整性。 5. 过流保护 SSM6J414TU,LF 还可用于过流保护电路中，通过检测电流大小并及时切断电路，防止过载损坏其他元件。其高耐压特性使其能够在高压环境下可靠工作。 6. 便携式电子设备 在智能手机、平板电脑等便携式电子设备中，SSM6J414TU,LF 可用于电源管理和信号切换，帮助设备实现高效能和低功耗。 总结 SSM6J414TU,LF 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关、信号切换、过流保护以及便携式电子设备等领域。其低导通电阻、快速开关速度和高耐压特性使其成为众多电路设计中的首选元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P CH 20V 6A UF6MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -6A -20V 1650pF |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 6 A |
| Id-连续漏极电流 | - 6 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J414TU |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba SSM6J414TU,LF- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J414TU |
| 产品型号 | SSM6J414TU,LFSSM6J414TU,LF |
| Pd-PowerDissipation | 1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| Qg-GateCharge | 23.1 nC |
| Qg-栅极电荷 | 23.1 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 54 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 54 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.3 V to - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.3 V to - 1 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1650pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23.1nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22.5 毫欧 @ 6A， 4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | UF6 |
| 其它名称 | SSM6J414TULFCT |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | UF-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Ta） |
| 配置 | Single |
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