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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM6J414TU,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM6J414TU,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM6J414TU,LF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 6A(Ta) 1W(Ta) UF6。您可以下载SSM6J414TU,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SSM6J414TU,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET P CH 20V 6A UF6MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -6A -20V 1650pF |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 6 A |
Id-连续漏极电流 | - 6 A |
品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J414TU |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba SSM6J414TU,LF- |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J414TU |
产品型号 | SSM6J414TU,LFSSM6J414TU,LF |
Pd-PowerDissipation | 1 W |
Pd-功率耗散 | 1 W |
Qg-GateCharge | 23.1 nC |
Qg-栅极电荷 | 23.1 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 54 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 54 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.3 V to - 1 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.3 V to - 1 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1650pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23.1nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 22.5 毫欧 @ 6A, 4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | UF6 |
其它名称 | SSM6J414TULFCT |
功率-最大值 | 1W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Toshiba |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-SMD,扁平引线 |
封装/箱体 | UF-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6A (Ta) |
配置 | Single |