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  • 型号: SSM6J414TU,LF
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SSM6J414TU,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM6J414TU,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM6J414TU,LF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 6A(Ta) 1W(Ta) UF6。您可以下载SSM6J414TU,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SSM6J414TU,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET P CH 20V 6A UF6MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -6A -20V 1650pF

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 6 A

Id-连续漏极电流

- 6 A

品牌

ToshibaToshiba Semiconductor and Storage

产品手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J414TU

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Toshiba SSM6J414TU,LF-

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J414TU

产品型号

SSM6J414TU,LFSSM6J414TU,LF

Pd-PowerDissipation

1 W

Pd-功率耗散

1 W

Qg-GateCharge

23.1 nC

Qg-栅极电荷

23.1 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

54 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

54 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 0.3 V to - 1 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 0.3 V to - 1 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1650pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

23.1nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

22.5 毫欧 @ 6A, 4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

UF6

其它名称

SSM6J414TULFCT

功率-最大值

1W

包装

剪切带 (CT)

商标

Toshiba

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-SMD,扁平引线

封装/箱体

UF-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6A (Ta)

配置

Single

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