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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Ciss-输入电容 | 200 pF |
描述 | MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23FMOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 4 A |
Id-连续漏极电流 | 4 A |
品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K324R |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba SSM3K324R,LF- |
数据手册 | |
产品型号 | SSM3K324R,LFSSM3K324R,LF |
Pd-功率耗散 | 2 W |
Qg-GateCharge | 2.2 nC |
Qg-栅极电荷 | 2.2 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 109 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 109 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.4 V to 1 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.4 V to 1 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 190pF @ 30V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 55 毫欧 @ 4A,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-23F |
其它名称 | SSM3K324RLFDKR |
功率-最大值 | - |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Toshiba |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 109 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-23-3 扁平引线 |
封装/箱体 | SOT-23F-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 4 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4A (Ta) |
配置 | Single |