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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM3K301T(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM3K301T(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM3K301T(TE85L,F)封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 3.5A(Ta) 700mW(Ta) TSM。您可以下载SSM3K301T(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SSM3K301T(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SSM3K301T(TE85L,F) 是 Toshiba Semiconductor and Storage 生产的一款单通道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET,适用于多种低电压、中等电流的应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 SSM3K301T 可用于各种电源管理电路中,如 DC-DC 转换器、线性稳压器和电池管理系统。它能够高效地控制电流的开关,减少能量损耗,特别适合于便携式设备和需要节能的设计。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中,SSM3K301T 可以作为功率开关,用于控制电机的启动、停止和速度调节。由于其低导通电阻(Rds(on)),可以有效降低发热,提高系统的效率和可靠性。 3. 负载开关 该 MOSFET 也可用作负载开关,广泛应用于消费电子设备中,如智能手机、平板电脑和其他便携式电子产品。它可以快速响应负载变化,确保电路的安全性和稳定性。 4. 信号切换 在信号切换电路中,SSM3K301T 可以实现不同信号路径之间的切换,适用于音频设备、传感器接口和通信设备等。其快速开关特性和低电容特性有助于减少信号失真和干扰。 5. 保护电路 该 MOSFET 还可用于过流保护、短路保护和热保护电路中。通过检测异常电流或温度,SSM3K301T 可以迅速切断电源,防止损坏下游电路。 6. 智能家电 在智能家居设备中,如智能灯泡、智能插座等,SSM3K301T 可以作为控制元件,实现对电器的远程控制和自动化管理。 总结 SSM3K301T(TE85L,F) 凭借其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性,适用于多种低功耗、高性能的应用场景。无论是电源管理、电机驱动还是信号切换,它都能提供稳定且高效的性能,满足现代电子设备的需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,1.8V 驱动 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K301T |
产品图片 | |
产品型号 | SSM3K301T(TE85L,F) |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 320pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.8nC @ 4V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 56毫欧 @ 2A, 4V |
供应商器件封装 | TSM |
其它名称 | SSM3K301T(TE85LF)CT |
功率-最大值 | 700mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.5A (Ta) |