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  • 型号: SSM3K15AMFV,L3F
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
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SSM3K15AMFV,L3F产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SSM3K15AMFV,L3F由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM3K15AMFV,L3F价格参考¥0.80-¥1.15。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM3K15AMFV,L3F封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 100mA(Ta) 150mW(Ta) VESM。您可以下载SSM3K15AMFV,L3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SSM3K15AMFV,L3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Toshiba Semiconductor and Storage的SSM3K15AMFV,L3F是一款单通道N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。这款MOSFET具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性,适用于多种电力电子应用。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
SSM3K15AMFV,L3F常用于电源管理系统中,如DC-DC转换器、线性稳压器等。它能够高效地控制电流的开关,确保电源系统的稳定性和效率。在电池供电设备中,该MOSFET可以帮助延长电池寿命,因为它可以在低功耗模式下保持较低的静态电流。

 2. 电机驱动
在小型电机驱动电路中,SSM3K15AMFV,L3F可以作为功率开关,用于控制电机的启动、停止和调速。它的低导通电阻特性有助于减少发热,提高系统的整体效率,特别适合于需要频繁启停的场合,如风扇、泵和小型机器人等。

 3. 负载切换
该MOSFET可用于负载切换应用,例如在智能插座、USB充电器和其他消费电子产品中。它可以快速响应负载的变化,确保电流的平稳传输,并且能够在过载或短路情况下迅速切断电源,保护电路免受损坏。

 4. 信号切换
在信号切换应用中,SSM3K15AMFV,L3F可以用作模拟开关或数字开关,实现不同信号路径的选择。由于其快速开关特性和低寄生电容,它非常适合高频信号处理,如音频放大器、通信设备中的射频前端等。

 5. 保护电路
该MOSFET还可以用于设计各种保护电路,如过流保护、过温保护和反向电压保护。通过监测电流和温度,它可以自动断开电路,防止潜在的故障扩大,从而提高整个系统的安全性。

总之,SSM3K15AMFV,L3F凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各类电力电子设备中,尤其适合对效率和稳定性有较高要求的场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N CH 30V 100MA U-MOS III

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平栅极,2.5V 驱动

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K15AMFV

产品图片

产品型号

SSM3K15AMFV,L3F

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

13.5pF @ 3V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.6 欧姆 @ 10mA,4V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30223

供应商器件封装

VESM

其它名称

SSM3K15AMFVL3F
SSM3K15AMFVL3FTR

功率-最大值

150mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-723

标准包装

8,000

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100mA (Ta)

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