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  • 型号: SSM3K15AMFV,L3F
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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SSM3K15AMFV,L3F产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SSM3K15AMFV,L3F由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM3K15AMFV,L3F价格参考¥0.80-¥1.15。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM3K15AMFV,L3F封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 100mA(Ta) 150mW(Ta) VESM。您可以下载SSM3K15AMFV,L3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SSM3K15AMFV,L3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N CH 30V 100MA U-MOS III

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平栅极,2.5V 驱动

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K15AMFV

产品图片

产品型号

SSM3K15AMFV,L3F

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

13.5pF @ 3V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.6 欧姆 @ 10mA,4V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30223

供应商器件封装

VESM

其它名称

SSM3K15AMFVL3F
SSM3K15AMFVL3FTR

功率-最大值

150mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-723

标准包装

8,000

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100mA (Ta)

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