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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM3K15ACT(TPL3)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM3K15ACT(TPL3)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM3K15ACT(TPL3)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SSM3K15ACT(TPL3)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SSM3K15ACT(TPL3) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N CH 30V 100MA 2-1J1BMOSFET SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 100 mA |
Id-连续漏极电流 | 100 mA |
品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K15ACT |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba SSM3K15ACT(TPL3)- |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K15ACT |
产品型号 | SSM3K15ACT(TPL3)SSM3K15ACT(TPL3) |
Pd-PowerDissipation | 100 mW |
Pd-功率耗散 | 100 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.6 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3.6 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13.5pF @ 3V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.6 欧姆 @ 10mA,4V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30223 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | CST3 |
其它名称 | SSM3K15ACT(TPL3)TR |
功率-最大值 | 100mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Toshiba |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 3.6 Ohms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-101,SOT-883 |
封装/箱体 | CST-3 |
工厂包装数量 | 10000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 10,000 |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 100 mA |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100mA (Ta) |