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  • 型号: SSM3J334R,LF
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SSM3J334R,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM3J334R,LF价格参考¥0.38-¥0.60。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM3J334R,LF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SSM3J334R,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SSM3J334R,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

Ciss-输入电容

280 pF

描述

MOSFET P CH 30V 4A SOT-23FMOSFET P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -30VDSS 280pF

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 4 A

Id-连续漏极电流

- 4 A

品牌

ToshibaToshiba Semiconductor and Storage

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Toshiba SSM3J334R,LF-

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J334R

产品型号

SSM3J334R,LFSSM3J334R,LF

Pd-PowerDissipation

1 W

Pd-功率耗散

1 W

Qg-GateCharge

5.9 nC

Qg-栅极电荷

5.9 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

136 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

136 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 2 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 2 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

280pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

5.9nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

71 毫欧 @ 3A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-23F

其它名称

SSM3J334R,LF(T
SSM3J334RLF
SSM3J334RLFTR

典型关闭延迟时间

22 ns

功率-最大值

1W

包装

带卷 (TR)

商标

Toshiba

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-23-3 扁平引线

封装/箱体

SOT-23F-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

2.3 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4A (Ta)

配置

Single

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