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  • 型号: SSM3J332R,LF
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SSM3J332R,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM3J332R,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM3J332R,LF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 6A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F。您可以下载SSM3J332R,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SSM3J332R,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET P CH 30V 6A 2-3Z1AMOSFET SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平栅极,1.8V 驱动

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 6 A

Id-连续漏极电流

- 6 A

品牌

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba

产品手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J332R

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Toshiba SSM3J332R,LF-

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J332R

产品型号

SSM3J332R,LFSSM3J332R,LF

Pd-PowerDissipation

1 W

Pd-功率耗散

1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

144 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

144 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.2V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

560pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8.2nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

42 毫欧 @ 5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-23F

其它名称

SSM3J332RLFCT

功率-最大值

1W

包装

剪切带 (CT)

商标

Toshiba

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-23-3 扁平引线

封装/箱体

SOT-23F

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6A (Ta)

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